GaN plantilla (100nm) oblea de silicio de GaN (tipo N no dopado) si (111) N-P-dopado con 10x10x10x0.279mm 1sp R: 1-10 ohm cm

Name: Gan Plantilla (100nm) Oblea De Silicio De Gan (tipo N No Dopado) Si (111) N-p-dopado Con 10x10x10x0.279mm 1sp R: 1-10 Ohm Cm - Buy Gan Template On Silicon Product on Alibaba.com
Brand: Ali
SKU: 62410404371

No hay reseñas aún

Henan Chengyi Laboratory Equipment Co., Ltd.5 yrs

Pasa el mouse por encima para acercar

Atributos clave

Otros atributos

Lugar del origen

China

Clasificación

Otros

Marca

Chengyi

Número de Modelo

FmGaNonSiPc10100279C1FT100

Nominal GaN thickness

0.1μm ± 0.1 μm

Front Surface finish (Ga-face)

<1nm RMS, As-grown

Back surface finish

Silicon ( 111) N-type P-doped R:1-10 ohm.cm

GaN orientation

C-plane (00.1)

Polarity

Ga-face

Conduction Type

Undoped (N-) and resistivities: < 0.05 Ohm-cm

Macro Defect Density

<1/cm^2

Wafer base

Silicon [111], 5x5x0.279mm, one side polished

Embalaje y entrega

Paquete

Packed in wooden case, fixed by sponge

Puerto

Any port

Plazo de entrega

Cantidad (piezas)	1 - 1	> 1
Hora del Est.(días)	5	Para negociar

Descripciones de productos del proveedor

>= 1 piezas

THB 2,575.78

Cantidad

Envío

Las soluciones de envío para la cantidad seleccionada no están disponibles actualmente

Total de artículo(s) (0 variaciones 0 artículos)

$0.00

Total del envío

$0.00

Subtotal

$0.00

Beneficios de la membresía

Reembolsos rápidos Ver más

Protecciones para este producto

Pagos seguros

Cada pago que realices en Alibaba.com está protegido con un estricto cifrado SSL y protocolos de protección de datos PCI DSS

Política de reembolso

Solicita un reembolso si tu pedido no se envía, falta o llega con problemas con el producto