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      Fairchild FQPF9N90C HSM9N90 MOSFET de canal N 9N90 de 9A 900V, de 1 a V

      No hay reseñas aún2 pedidos
      Kenawang Electronics Co., Ltd.2 yrsCN

      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      Fqpf9n90c/HSM9N90
      Tipo
      Transistor
      Marca
      standard
      Tipo de paquete
      stanard

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      stanard
      Descripción
      100% new and orignal
      Lugar del origen
      Guangdong, China
      PAQUETE/cubierta
      standard
      Tipo
      standard, stanard
      Temperatura de funcionamiento
      stanard
      Serie
      100% new and orignal
      d/c
      newest
      Uso
      stanard
      Tipo de Proveedor
      Other
      Los medios disponibles
      Foto, Other
      品名
      standard
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      standard
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      stanard
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      stanard
      Corriente de colector de corte (Max)
      standard
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      stanard
      Poder-Max
      standard
      -Frecuencia de transición
      standard
      Temperatura de funcionamiento
      standard
      Tipo de Montaje
      standard
      Resistencia Base (R1)
      standard
      Resistencia-emisor Base (R2)
      stanard
      FET tipo
      standard
      FET característica
      stanard
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      stanard
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      stanard
      Rds (Max) @ Id Vgs
      stanard
      Vgs (th) (Max) @ Id
      stanard
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      stanard
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      stanard
      Frecuencia
      stanard
      Corriente nominal (en amperios)
      stanard
      Ruido
      stanard
      Potencia de salida
      stanard
      -Tensión nominal
      stanard
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      stanard
      Vgs (Max)
      stanard
      Tipo IGBT de
      stanard
      Configuración
      stanard
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      stanard
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      stanard
      De entrada
      stanard
      Termistor NTC
      stanard
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      stanard
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      stanard
      Corriente de drenaje (Id).
      stanard
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      stanard
      Resistencia-On (RDS)
      stanard
      Tensión
      stanard
      Tensión de salida-salida
      stanard
      -Tensión Offset (Vt)
      stanard
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      stanard
      Corriente de Valle Iv)
      stanard
      Corriente de pico
      stanard
      Aplicaciones
      stanard
      Tipo de Transistor
      standard
      Warranty
      1 Year
      Lead time
      1-3 Days

      Embalaje y entrega

      Paquete
      Tubo, bandeja, cinta y carrete, cinta y caja, embalaje a granel, bolsa y más
      Puerto
      shenzhen
      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      10X20X30 cm
      Peso bruto único:
      1.000 kg
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