Transistor de circuito integrado IC FQP50N06, transistor de lista electrónica 50n06, buen precio

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Shenzhen Changshengguangying Technology Co., Ltd.2 yrs

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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo

FQP50N06

Tipo

Estándar

Marca

huaxunmei

Otros atributos

Tipo de montaje

Estándar

Descripción

Estándar

Lugar del origen

Guangdong, China

PAQUETE/cubierta

Estándar

Uso

Estándar

Tipo de Proveedor

Otros

Los medios disponibles

Otros

品名

N-CH MOSFET 60V 50A TO-220

Corriente de colector (Ic) (máx.)

-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)

Vce de saturación (Max) @ Ib Ic

Corriente de colector de corte (Max)

Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce

Poder-Max

-Frecuencia de transición

Temperatura de funcionamiento

-55 °C ~ 175 °C (TJ), 55 150

Resistencia Base (R1)

Resistencia-emisor Base (R2)

FET tipo

Canal N, Canal N

Tensión de drenador a fuente (Vdss)

60V

Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C

50A (Tc)

Rds (Max) @ Id Vgs

22mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250uA

La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)

1540pF @ 25V

Frecuencia

Corriente nominal (en amperios)

Ruido

Potencia de salida

-Tensión nominal

Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)

10V

Vgs (Max)

± 25V

Vce (on) (Max) @ Vge Ic

Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce

De entrada

Termistor NTC

-Tensión de distribución (V (BR) GSS)

Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)

Corriente de drenaje (Id).

-Tensión de corte (VGS) @ Id

Resistencia-On (RDS)

Tensión

Tensión de salida-salida

-Tensión Offset (Vt)

Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)

Corriente de Valle Iv)

Corriente de pico

Aplicaciones

Estado de la pieza

Activo

Tecnología

MOSFET

Paquete del dispositivo del proveedor

TO-220

Embalaje

Tubo

Garantía

365 días

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