FDN360P MOSFET (óxido de metal) Señales pequeñas FETs de potencia de 1 canal P Transistores de potencia MOSFET TMOS FET Mejora
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Atributos clave
Especificación esencial de la industria
Número de Modelo
FDN360P
Tipo
Transistores
Marca
original brand
Tipo de paquete
Montaje superficial
Otros atributos
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Descripción
P-CH MOSFET 30V 2A SUPERSOT3
Lugar del origen
original
PAQUETE/cubierta
TO-236-3 SC-59 SOT-23-3
Tipo
Canal P
Temperatura de funcionamiento
55 °C ~ 150 °C (TJ)
Serie
PowerTrench
d/c
Más reciente
Uso
Propósito General
Tipo de Proveedor
Minorista
Referencia cruzada
FDN360P_F095CT-ND
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD
品名
Transistores
Corriente de colector (Ic) (máx.)
Igual que el original
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
Estándar original
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Igual que el original
Corriente de colector de corte (Max)
Estándar original
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Igual que el original
Poder-Max
500mW(Ta)
-Frecuencia de transición
Igual que el original
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de Montaje
Montaje superficial
Resistencia Base (R1)
Estándar original
Resistencia-emisor Base (R2)
Igual que el original
FET tipo
Canal P
FET característica
Estándar original
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
2A (TA)
Rds (Max) @ Id Vgs
80mOhm @ 2A 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250uA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
298 pF @ 15 V
Frecuencia
Igual que el original
Corriente nominal (en amperios)
Estándar original
Ruido
Igual que el original
Potencia de salida
500mW(Ta)
-Tensión nominal
Igual que el original
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4,5 V 10V
Vgs (Max)
± 20V
Tipo IGBT de
Estándar original
Configuración
Solo
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Estándar original
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Igual que el original
De entrada
Estándar original
Termistor NTC
Igual que el original
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Estándar original
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Igual que el original
Corriente de drenaje (Id).
Estándar original
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Igual que el original
Resistencia-On (RDS)
63 mOhms
Tensión
Igual que el original
Tensión de salida-salida
Estándar original
-Tensión Offset (Vt)
Igual que el original
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Estándar original
Corriente de Valle Iv)
Igual que el original
Corriente de pico
Estándar original
Aplicaciones
Propósito general
Tipo de Transistor
Canal P
SPQ
3K/carrete
Transconductancia hacia adelante-Min:
5 S
Tiempo de caída:
13 NS
Tiempo de subida:
13 NS
Peso de unidad:
0,001058 oz
Tiempo de retardo de apagado típico:
11 NS
Tiempo de retardo de encendido típico:
6 NS
Recuento de Pin
3
PCB cambiado
3
Forma de plomo
Ala de gaviota
Embalaje y entrega
Unidades de venta:
Un solo artículo
Tamaño de paquete único:
19X19X10 cm
Peso bruto único:
1.000 kg
Plazo de entrega
| Cantidad (piezas) | 1 - 3000 | > 3000 |
| Hora del Est.(días) | 15 | Para negociar |
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