FDMS86163P Transistores Single Quad Drain Triple Fuente MOSFET de potencia (óxido de metal) 1 P-Channel FET PQFN EP FDMS86163P SMD/SMT
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Atributos clave
Especificación esencial de la industria
Número de Modelo
FDMS86163P
Tipo
MOSFET
Marca
original brand
Tipo de paquete
Montaje superficial
Otros atributos
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Descripción
P-CH MOSFET 100V 7.9A/50A 8PQFN
Lugar del origen
original
PAQUETE/cubierta
Acerca de 8-PowerTDFN
Tipo
Canal P
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Serie
PowerTrench
d/c
Más reciente
Uso
Propósito General
Tipo de Proveedor
Minorista
Referencia cruzada
FDMS86163PDKR
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD
品名
Transistores
Corriente de colector (Ic) (máx.)
Igual que el original
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
Estándar original
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Igual que el original
Corriente de colector de corte (Max)
Estándar original
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Igual que el original
Poder-Max
2,5 W(Ta)104W(Tc)
-Frecuencia de transición
Estándar original
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C(TJ)
Tipo de Montaje
Montaje superficial
Resistencia Base (R1)
Igual que el original
Resistencia-emisor Base (R2)
Estándar original
FET tipo
Canal P 1
FET característica
Igual que el original
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
100 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
7.9A(Ta)50A(Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
22mOhm @ 7.9A 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250uA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
4085 pF @ 50 V
Frecuencia
Igual que el original
Corriente nominal (en amperios)
Estándar original
Ruido
Igual que el original
Potencia de salida
3,7 W (Ta) 52W (Tc)
-Tensión nominal
Igual que el original
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
6V 10V
Vgs (Max)
± 25V
Tipo IGBT de
Estándar original
Configuración
Single Quad Drain Triple Fuente
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Estándar original
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Igual que el original
De entrada
Estándar original
Termistor NTC
Igual que el original
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Estándar original
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Igual que el original
Corriente de drenaje (Id).
Estándar original
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Igual que el original
Resistencia-On (RDS)
Estándar original
Tensión
0,81 V ~ 4,2 V
Tensión de salida-salida
Estándar original
-Tensión Offset (Vt)
Igual que el original
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Estándar original
Corriente de Valle Iv)
Igual que el original
Corriente de pico
Estándar original
Aplicaciones
Propósito general
Tipo de Transistor
Canal P
SPQ
3K/carrete
Modo de canal:
Mejora
Transconductancia hacia adelante-Min:
29 S
Tiempo de caída:
6,9 NS
Tiempo de subida:
8,8 NS
PCB cambiado
8
Recuento de Pin
8
Forma de plomo
Sin plomo
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Peso de unidad:
0,002402 oz
Embalaje y entrega
Unidades de venta:
Un solo artículo
Tamaño de paquete único:
19X19X10 cm
Peso bruto único:
1.000 kg
Plazo de entrega
| Cantidad (piezas) | 1 - 3000 | > 3000 |
| Hora del Est.(días) | 15 | Para negociar |
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