Tipo de montaje
Montaje en superficie
Descripción
P-CH MOSFET 20V 2.5A 8SO
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
8-SOIC (0.154 ", 3,90mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento
150 °C (TJ)
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.)
-
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
-
Corriente de colector de corte (Max)
-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
-
-Frecuencia de transición
-
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Resistencia-emisor Base (R2)
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
-
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
-
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
-
Corriente nominal (en amperios)
-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
-
Corriente de drenaje (Id).
-
-Tensión de corte (VGS) @ Id
-
Tensión de salida-salida
-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
-
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC
Número de producto base
STS2D
Tiempo de recuperación inversa (TRR)
-
Desglose del emisor colector de voltaje
-
Colector de corriente (Ic) (Max)
-
Colector de corriente pulsada (Icm)
-
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic
-