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EC-Mart-Transistores MOSFET SUD50P06 TO-252-3 60V 50A 113W, de potencia de

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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo
SUD50P06-15-GE3
Tipo
Transistor Bipolar
Marca
original brand
Tipo de paquete
Montaje superficial

Otros atributos

Tipo de montaje
SMD/SMT
Descripción
MOSFET
Lugar del origen
California, United States
PAQUETE/cubierta
Original
Serie
SUD50P06-15-GE3
d/c
Nuevo
品名
SUD50P06-15-GE3
Corriente de colector (Ic) (máx.)
-
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
--
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
-
Corriente de colector de corte (Max)
-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
-
Poder-Max
-
-Frecuencia de transición
-
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de Montaje
Montaje superficial
Resistencia Base (R1)
--
Resistencia-emisor Base (R2)
-
FET tipo
-
FET característica
--
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
-
Rds (Max) @ Id Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
-
Frecuencia
-
Corriente nominal (en amperios)
-
Ruido
-
Potencia de salida
--
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
--
Tipo IGBT de
-
Configuración
-
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
-
De entrada
-
Termistor NTC
-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
-
-Tensión de corte (VGS) @ Id
-
Resistencia-On (RDS)
-
Tensión
-
Tensión de salida-salida
-
-Tensión Offset (Vt)
-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
-
Corriente de Valle Iv)
-
Corriente de pico
-
Aplicaciones
-
Polaridad del transistor
Canal P
Número de canales
1 canal
Vds-Tensión de Desglose de Drenaje-Fuente
60 V
Id-Corriente de drenaje continuo
50 A
Rds en-drenaje-resistencia de la fuente
15 mOhms
Vgs-puerta-voltaje de la fuente
-20 V, + 20 V
Vgs th-Puerta-Tensión de umbral de fuente
3 V
Temperatura de funcionamiento mínima
-55 C
Temperatura de funcionamiento máxima
+ 150 C
Pd-Disipación de energía
113 W

Plazo de entrega

Cantidad (piezas)1 - 1000 > 1000
Hora del Est.(días)5Para negociar

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