Lugar del origen
California, United States
Corriente de colector (Ic) (máx.)
-
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
--
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
-
Corriente de colector de corte (Max)
-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
-
-Frecuencia de transición
-
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de Montaje
Montaje superficial
Resistencia-emisor Base (R2)
-
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
-
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
-
Corriente nominal (en amperios)
-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
--
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
-
-Tensión de corte (VGS) @ Id
-
Tensión de salida-salida
-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
-
Polaridad del transistor
Canal P
Vds-Tensión de Desglose de Drenaje-Fuente
60 V
Id-Corriente de drenaje continuo
50 A
Rds en-drenaje-resistencia de la fuente
15 mOhms
Vgs-puerta-voltaje de la fuente
-20 V, + 20 V
Vgs th-Puerta-Tensión de umbral de fuente
3 V
Temperatura de funcionamiento mínima
-55 C
Temperatura de funcionamiento máxima
+ 150 C
Pd-Disipación de energía
113 W