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CE-Mart IRLML6402 Transistor MOSFET 3.7A 65mOhm SOT-23 IRLML6402TRPBF

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EC Mart Trading (Shenzhen) Limited7 yrsCN
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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo
IRLML6402TRPBF
Tipo
MOSFET
Marca
EC-Mart
Tipo de paquete
Montaje superficial

Otros atributos

Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
/
d/c
new
品名
IRLML6402TRPBF
Corriente de colector (Ic) (máx.)
-
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
-
Corriente de colector de corte (Max)
-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
--
Poder-Max
-
-Frecuencia de transición
-
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de Montaje
/
Resistencia Base (R1)
-
Resistencia-emisor Base (R2)
-
FET tipo
-
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
-
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
-
Rds (Max) @ Id Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
-
Frecuencia
-
Corriente nominal (en amperios)
-
Ruido
-
Potencia de salida
-
-Tensión nominal
-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
-
Vgs (Max)
-
Tipo IGBT de
-
Configuración
-
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
-
De entrada
-
Termistor NTC
-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
-
Corriente de drenaje (Id).
-
-Tensión de corte (VGS) @ Id
-
Resistencia-On (RDS)
-
Tensión
-
Tensión de salida-salida
-
-Tensión Offset (Vt)
--
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
-
Corriente de Valle Iv)
-
Corriente de pico
-
Aplicaciones
-
Package / Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
P-Channel
Number of Channels
1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
20 V
Id - Continuous Drain Current
3.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance
65 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
- 12 V, + 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
4 V
Qg - Gate Charge
8 nC
Operating Temperature
- 55 C ~ + 150 C

Embalaje y entrega

Paquete
ESD/vacío/espuma/cartón
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Cantidad (piezas)1 - 999999 > 999999
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