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      Transistores semiconductores discretos MOSFET original y nuevo IPD350N06LG

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      Shenzhen ZHZY Technology Co., Ltd.Proveedor multi-especialidad1 yrCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      IPD350N06LG
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      Original
      Tipo de paquete
      TO-252-3

      Otros atributos

      Tipo de montaje
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      Descripción
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      Lugar del origen
      Original
      PAQUETE/cubierta
      Original
      Tipo
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      Temperatura de funcionamiento
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      Serie
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      d/c
      Últimos 2 años
      Uso
      MOSFETs
      Referencia cruzada
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      品名
      IPD350N06LG
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
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      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
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      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
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      Corriente de colector de corte (Max)
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      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
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      Poder-Max
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      -Frecuencia de transición
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      Temperatura de funcionamiento
      -55 C, + 175 C
      Tipo de Montaje
      SMD/SMT
      Resistencia Base (R1)
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      Resistencia-emisor Base (R2)
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      FET tipo
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      FET característica
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      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      60 V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      29 A
      Rds (Max) @ Id Vgs
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      Vgs (th) (Max) @ Id
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      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      10 nC
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
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      Frecuencia
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      Corriente nominal (en amperios)
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      Ruido
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      Potencia de salida
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      -Tensión nominal
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      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
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      Vgs (Max)
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      Tipo IGBT de
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      Configuración
      Solo
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
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      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
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      De entrada
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      Termistor NTC
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      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
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      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
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      Corriente de drenaje (Id).
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      -Tensión de corte (VGS) @ Id
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      Resistencia-On (RDS)
      35 mOhms
      Tensión
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      Tensión de salida-salida
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      -Tensión Offset (Vt)
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      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
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      Corriente de Valle Iv)
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      Corriente de pico
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      Aplicaciones
      MOSFETs
      Tipo de Transistor
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      Polaridad del transistor
      Canal N
      Modo de canal
      Mejora
      Peso de la unidad
      4G
      Altura
      2,3mm
      Longitud
      6,5mm

      Embalaje y entrega

      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      11X11X11 cm
      Peso bruto único:
      1.000 kg
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