Lugar del origen
Taiwan, China
PAQUETE/cubierta
A-252-3 DPak (2 + Tab) SC-63
Tipo de Proveedor
Fabricante Original, Agencia
Referencia cruzada
HLX30N03
Los medios disponibles
Hoja de Datos
品名
MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
Corriente de colector (Ic) (máx.)
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-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
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Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
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Corriente de colector de corte (Max)
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Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
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-Frecuencia de transición
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Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de Montaje
Montaje superficial
Resistencia Base (R1)
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Resistencia-emisor Base (R2)
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FET característica
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Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
90mOhm @ 5A 10V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
51nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1800pF @ 25V
Corriente nominal (en amperios)
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Potencia de salida
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Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
6V 10V
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
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Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
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-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
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Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
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Corriente de drenaje (Id).
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-Tensión de corte (VGS) @ Id
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Resistencia-On (RDS)
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Tensión de salida-salida
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-Tensión Offset (Vt)
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Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
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Corriente de Valle Iv)
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Corriente de pico
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De embalaje
Cinta y rollo (TR)
La disponibilidad de
En Stock