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      CICOTEX-MOSFET DMG2302 UKQ7 SOT-23-3, 20V 2.8A SOT23, T & R 3, 3, 1, 2, 2, 1, 2, 2, 2, 1, 2, 2, 2

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      Shenzhen Cico Technology Co., Ltd.Proveedor multi-especialidad8 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      DMG2302UKQ-7
      Tipo
      Single FETs MOSFETs
      Marca
      Cicotex
      Tipo de paquete
      SOT-23-3

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      Montaje en superficie
      Descripción
      N-CH MOSFET 20V 2.8A SOT23 T & R 3
      Lugar del origen
      Texas, United States
      PAQUETE/cubierta
      TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Tipo
      MOSFETs FETs individuales
      Temperatura de funcionamiento
      -55 °C ~ 150 °C (TJ)
      Serie
      -
      d/c
      -
      Uso
      N-CH MOSFET 20V 2.8A SOT23 T & R 3
      Tipo de Proveedor
      Activo
      Referencia cruzada
      -
      Los medios disponibles
      -
      品名
      Transistores
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      -
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      -
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      -
      Corriente de colector de corte (Max)
      -
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      -
      Poder-Max
      -
      -Frecuencia de transición
      -
      Temperatura de funcionamiento
      -55°C ~ 150°C (TJ)
      Tipo de Montaje
      Montaje superficial
      Resistencia Base (R1)
      -
      Resistencia-emisor Base (R2)
      -
      FET tipo
      Canal N
      FET característica
      MOSFET (óxido de metal)
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      20 V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      2.8A (Ta)
      Rds (Max) @ Id Vgs
      90mOhm @ 3.6A, 4,5 V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      1V @ 250uA
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      2,8 nC @ 10 V
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      130 pF @ 10 V
      Frecuencia
      -
      Corriente nominal (en amperios)
      -
      Ruido
      -
      Potencia de salida
      -
      -Tensión nominal
      -
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      -
      Vgs (Max)
      +-12V
      Tipo IGBT de
      Automoción
      Configuración
      AEC-Q101
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      -
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      -
      De entrada
      -
      Termistor NTC
      -
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      -
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Corriente de drenaje (Id).
      -
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      -
      Resistencia-On (RDS)
      -
      Tensión
      -
      Tensión de salida-salida
      -
      -Tensión Offset (Vt)
      -
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      -
      Corriente de Valle Iv)
      -
      Corriente de pico
      -
      Aplicaciones
      N-CH MOSFET 20V 2.8A SOT23 T & R 3
      Tipo de Transistor
      -
      Disipación de potencia (Max)
      660mW (Ta)
      Paquete
      Cinta y carrete (TR), corte la cinta (CT), Digi-carrete
      Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
      2,5 V, 4,5 V
      Estado del producto
      Activo
      Tecnología
      MOSFET (óxido de metal)
      Paquete/caso
      TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      MOQ
      1 PC
      Calidad
      Nuevo y original
      Garantía
      360 días
      Garante
      Grupo Cicotex

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      Un solo artículo
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