Tipo de montaje
Incorporado
Descripción
Tecnología Trench FS, VCE bajo (SAT), EMI baja, Pérdida de conmutación baja
PAQUETE/cubierta
Desnudo muere
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ + 150 ℃
Uso
Convertidores y conductores de la energía
Tipo de Proveedor
Fabricante Original, ODM
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto
品名
WAFER AKGW75T120S2 DEL TRANSISTOR DE IGBT
Corriente de colector (Ic) (máx.)
75A
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
1200V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
1,9 V
Temperatura de funcionamiento
-40℃~+150℃
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
365nC
Corriente nominal (en amperios)
75A
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
5200pF
Aplicaciones
PROPÓSITO GENERAL
Tipo de Transistor
Oblea de IGBT
Tamaño de la oblea
8 pulgadas
Espesor de la oblea
120 ± 10um
Corriente pulsada del colector
225A
VCE (SAT) en Ic = 75A
1,9 V
Información sobre TSC
20US
Información sobre Cies
5200pF