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COPOER nuevo Original SI2305 SI 2305 I2305 A50T A5OT Chips IC MOSFET P-CH 8V 4.1A SOT-23 MOS componentes Electrónicos de Transistor

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Ansoyo Electronic LimitedProveedor multi-especialidad5 yrsCN
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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo
SI2305
Tipo
Power MOSFET
Marca
COPOER
Tipo de paquete
Agujero de labranza

Otros atributos

Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
d/c
New
Uso
Controlador MOSFET
Tipo de Proveedor
Fabricante Original, ODM, Agencia, Minorista
Los medios disponibles
Hoja de Datos
品名
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
Corriente de colector (Ic) (máx.)
-
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
-
Corriente de colector de corte (Max)
-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
-
Poder-Max
-
-Frecuencia de transición
-
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de Montaje
Montaje superficial
Resistencia Base (R1)
-
Resistencia-emisor Base (R2)
-
FET tipo
P-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
8V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
4.1A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
90mOhm @ 2A, 1.8V
Vgs (th) (Max) @ Id
900mV @ 0..25mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
140pF @ 25V
Frecuencia
-
Corriente nominal (en amperios)
-
Ruido
-
Potencia de salida
-
-Tensión nominal
-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V
Vgs (Max)
±8V
Tipo IGBT de
-
Configuración
-
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
-
De entrada
-
Termistor NTC
-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
-
Corriente de drenaje (Id).
-
-Tensión de corte (VGS) @ Id
-
Resistencia-On (RDS)
-
Tensión
-
Tensión de salida-salida
-
-Tensión Offset (Vt)
-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
-
Corriente de Valle Iv)
-
Corriente de pico
-
Aplicaciones
-
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