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COPOER-Chips IC IRF840 IRF840PBF IRF 840 F840, N-CH, 500V, 8A a-220 Mosfet MOS DIP, componentes electrónicos, nuevos y originales

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Ansoyo Electronic LimitedProveedor multi-especialidad5 yrsCN
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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo
IRF840
Tipo
POWER MOSFET
Marca
COPOER
Tipo de paquete
Agujero de labranza

Otros atributos

Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
TO-220-3
d/c
New
Uso
Controlador MOSFET
Tipo de Proveedor
Fabricante Original, ODM, Agencia, Minorista
Referencia cruzada
-
Los medios disponibles
Hoja de Datos
品名
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
Corriente de colector (Ic) (máx.)
8.5A
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
600V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
-
Corriente de colector de corte (Max)
-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
-
Poder-Max
38W
-Frecuencia de transición
-
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de Montaje
A través del orificio
Resistencia Base (R1)
-
Resistencia-emisor Base (R2)
-
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
500V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
850mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 0.25mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
832pF @ 25V
Frecuencia
-
Corriente nominal (en amperios)
-
Ruido
-
Potencia de salida
-
-Tensión nominal
-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo IGBT de
-
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
2.6V @ 15V, 5A
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
-
De entrada
-
Termistor NTC
-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
--
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
-
Corriente de drenaje (Id).
-
-Tensión de corte (VGS) @ Id
-
Resistencia-On (RDS)
-
Tensión
-
Tensión de salida-salida
-
-Tensión Offset (Vt)
-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
-
Corriente de Valle Iv)
-
Corriente de pico
-
Aplicaciones
-
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