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      CGH40120F CGH40120 (120 W de potencia de RF HEMT GaN) Transistor de efecto de campo CGH40120F

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      Shenzhen Maoxing Weiye Technology Co., Ltd.Proveedor multi-especialidad3 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      CGH40120F
      Tipo
      Transistor de efecto de campo, Transistor de efecto de campo
      Marca
      Original Brand
      Tipo de paquete
      Montaje superficial

      Otros atributos

      Descripción
      Nulo
      Lugar del origen
      Malaysia
      PAQUETE/cubierta
      440193
      Serie
      Nulo
      d/c
      En stock
      Uso
      Transistor de efecto de campo
      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original
      Referencia cruzada
      Nulo
      Los medios disponibles
      Foto
      品名
      MOSFET de RF HEMT 28V 440193
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      Nulo
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      Nulo
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      Nulo
      Corriente de colector de corte (Max)
      Nulo
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      Nulo
      Poder-Max
      Nulo
      -Frecuencia de transición
      Nulo
      Temperatura de funcionamiento
      Nulo
      Tipo de Montaje
      Montaje superficial
      Resistencia Base (R1)
      Nulo
      Resistencia-emisor Base (R2)
      Nulo
      FET tipo
      Nulo
      FET característica
      Nulo
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      Nulo
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      Nulo
      Rds (Max) @ Id Vgs
      Nulo
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Nulo
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      Nulo
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      Nulo
      Frecuencia
      0Hz ~ 4GHz
      Corriente nominal (en amperios)
      28A
      Ruido
      Nulo
      Potencia de salida
      120W
      -Tensión nominal
      84V
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      Nulo
      Vgs (Max)
      Nulo
      Tipo IGBT de
      Nulo
      Configuración
      Nulo
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      Nulo
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      Nulo
      De entrada
      Nulo
      Termistor NTC
      Nulo
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      Nulo
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      Nulo
      Corriente de drenaje (Id).
      Nulo
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      Nulo
      Resistencia-On (RDS)
      Nulo
      Tensión
      Nulo
      Tensión de salida-salida
      Nulo
      -Tensión Offset (Vt)
      Nulo
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      Nulo
      Corriente de Valle Iv)
      Nulo
      Corriente de pico
      Nulo
      Aplicaciones
      Nulo
      Garantía
      365 días
      Proveedor
      Tecnología Co.,Ltd. de Shenzhen SeekEC.
      Estado libre de plomo
      Cumple con RoHS
      Hoja de datos
      Disponible
      Servicio BOM
      Disponible
      Programación de IC
      Disponible
      Paquete de vacío
      Disponible
      Pago
      Paypal, garantía comercial, Western Union, T/T, tarjeta de crédito, MoneyGram
      Tiempo de plomo
      Dentro de 5 días

      Embalaje y entrega

      Paquete
      Original Packing
      Puerto
      SHENZHEN HONGKONG
      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      1X1X1 cm
      Peso bruto único:
      1.000 kg
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      Plazo de entrega

      Cantidad (piezas)1 - 1 > 1
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      >= 1000 piezas
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