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      RAND-transistor de efecto de campo triodo, nuevo

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      Shenzhen Chuangzhong Microelectronics Technology Co., Ltd.2 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      K5A50D
      Tipo
      transistor triode
      Marca
      N-channel field effect
      Tipo de paquete
      transistor triode

      Otros atributos

      Descripción
      other
      Lugar del origen
      China
      PAQUETE/cubierta
      other
      Serie
      other
      d/c
      other
      Uso
      igbt
      Tipo de Proveedor
      transistor triode
      Referencia cruzada
      other
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos
      品名
      N-channel field effect
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      other
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      other
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      other
      Corriente de colector de corte (Max)
      other
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      other
      Poder-Max
      other
      -Frecuencia de transición
      other
      Temperatura de funcionamiento
      other
      Tipo de Montaje
      transistor triode
      Resistencia Base (R1)
      other
      Resistencia-emisor Base (R2)
      other
      FET tipo
      transistor triode
      FET característica
      Carburo de silicio (SiC)
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      other
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      other
      Rds (Max) @ Id Vgs
      other
      Vgs (th) (Max) @ Id
      other
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      other
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      other
      Frecuencia
      other
      Corriente nominal (en amperios)
      other
      Ruido
      other
      Potencia de salida
      other
      -Tensión nominal
      other
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      other
      Vgs (Max)
      other
      Tipo IGBT de
      transistor triode
      Configuración
      Solo
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      other
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      other
      De entrada
      other
      Termistor NTC
      other
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      other
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      other
      Corriente de drenaje (Id).
      other
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      other
      Resistencia-On (RDS)
      other
      Tensión
      other
      Tensión de salida-salida
      other
      -Tensión Offset (Vt)
      other
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      other
      Corriente de Valle Iv)
      other
      Corriente de pico
      other
      Aplicaciones
      igbt
      Brand Name
      other
      Place of Origin
      Aland Islands
      Selling Units
      Single item
      Packaging
      Tube-packed

      Embalaje y entrega

      Paquete
      Embalaje original
      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      1X2X1 cm
      Peso bruto único:
      0.010 kg
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      Plazo de entrega

      Cantidad (piezas)1 - 100 > 100
      Hora del Est.(días)6Para negociar

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