Componentes electrónicos BOM Transistor MOSFET de potencia RF RD70HVF1 RD30HVF1 RD100HHF1C RD100HHF1C-501

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Shenzhen Atd Electronic Co., Ltd6 yrs

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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo

RD70HVF1 RD30HVF1 RD100HHF1C RD100HHF1C-501

Tipo

Encapsulado de TRANSISTOR RF

Marca

MIT

Otros atributos

Tipo de montaje

SMD

Descripción

RF Power MOSFET Transistor

Lugar del origen

Guangdong, China

PAQUETE/cubierta

SMD

Condition:

new

Price:

datasheet:

info @antechcn.com

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