Anbon, Canal N TO-252AB 60V 50A AD50N06S Transistor Mosfet

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Shenzhen Anbon Semiconductor Co., Ltd.

Proveedor multi-especialidad5 yrs

Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo

AD50N06S

Tipo

MOSFET

Marca

Anbon

Tipo de paquete

Montaje superficial

Otros atributos

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Descripción

Transistor del Mosfet del canal N de AD50N06S 60V 50A

Lugar del origen

Guangdong, China

PAQUETE/cubierta

Montaje en superficie

Tipo de Proveedor

Fabricante Original

Los medios disponibles

Hoja de Datos

Poder-Max

85W

Temperatura de funcionamiento

-55 ℃ A + 150 ℃

Tipo de Montaje

Montaje superficial

FET tipo

Canal N

Tensión de drenador a fuente (Vdss)

60V

Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C

50A

Rds (Max) @ Id Vgs

20.5mR @ 10V/20A

Vgs (th) (Max) @ Id

2,5 V @ 250uA

La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs

50nC

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)

2053pF

Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)

1uA

Tipo de diodo

MOSFET

Paquete

TO-252AB

Plazo de entrega

Cantidad (piezas)	1 - 3000	> 3000
Hora del Est.(días)	15	Para negociar

Personalizacion

Customized Design

Pedido mínimo: 10000000

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Descripciones de productos del proveedor

>= 1 piezas

CNY 1.31

Variaciones

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