Tipo de montaje
A través de los agujeros
Descripción
Baja resistencia en, Prueba 100% de avalancha, Buena estabilidad y uniformidad con alto EAS, Tecnología de proceso especial para la alta capacidad del ESD
Lugar del origen
Zhejiang, China
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ + 150 ℃
Uso
Balastos de Lámpara electrónica
Tipo de Proveedor
Fabricante Original, ODM
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto
品名
MOSFET del poder del canal N de AKT4N90TC2 900V 4A
Corriente de colector (Ic) (máx.)
4A(TC = 25 ℃), 2.3A(TC = 100 ℃)
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
900V
Corriente de colector de corte (Max)
16A
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C
Tipo de Montaje
A través del orificio
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
900V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
4A
Rds (Max) @ Id Vgs
3 ohmios
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
19nC
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
820pF
Corriente nominal (en amperios)
4A
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
3-5V
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
900V
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
10uA
Corriente de drenaje (Id).
4A
Resistencia-On (RDS)
2,3 ohmios
-Tensión Offset (Vt)
± 30V
Corriente de Valle Iv)
2.3A
Aplicaciones
Modo conmutado Suministros de energía
Tipo de Transistor
Transistor MOSFET, Canal N, Modo de mejora
Corriente de drenaje (TC = 25 ℃)
4A
Corriente de drenaje (TC = 100 ℃)
2.3A
Energía de avalancha de pulso único
900mJ
Disipación de poder máxima (TC = 25 ℃)
Por 147W
Tiempo de retardo de apagado
46ns
Carga total de la puerta
19nC
Aplicación 1
Modo conmutado Suministros de energía
Aplicación 2
Corrección del factor de potencia activa, balastos electrónicos