Tipo de montaje
A través de agujeros
Descripción
Baja resistencia en, Prueba de avalancha 100%, Buena estabilidad y uniformidad con alto EAS, Tecnología de proceso especial para la alta capacidad del ESD
Lugar del origen
Zhejiang, China
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ + 150 ℃
Uso
Fuentes de alimentación de alta tensión o circuitos de pulso
Tipo de Proveedor
Fabricante Original, ODM
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto
品名
AKQA25N90 MOSFET de potencia de canal N de 900V 25A
Corriente de colector (Ic) (máx.)
25A(TC = 25 ℃), 16A(TC = 100 ℃)
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
900V
Corriente de colector de corte (Max)
100A
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C
Tipo de Montaje
A través del orificio
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
900V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
25A
Rds (Max) @ Id Vgs
0,34 Ohm
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
53nC
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
7600pF
Corriente nominal (en amperios)
25A
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
3-5V
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
900V
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
1uA
Corriente de drenaje (Id).
25A
Resistencia-On (RDS)
0,34 Ohm
-Tensión Offset (Vt)
± 30V
Corriente de Valle Iv)
16A
Aplicaciones
Fuentes de alimentación de alta tensión o circuitos de pulso.
Tipo de Transistor
Transistor MOSFET, Canal N, Modo de mejora
Corriente de drenaje (TC = 25 ℃)
25A
Corriente de drenaje (TC = 100 ℃)
16A
Energía de avalancha de pulso único
1800mJ
Disipación de potencia máxima (TC = 25 ℃)
300W
Tiempo de retardo de apagado
50ns
Carga total de la puerta
53nC
Aplicación 1
Fuentes de alimentación de alto voltaje
Aplicación 2
Circuitos de pulso