900V 13A MOSFET N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Transistor Paquete de TO-3PN para fuentes de alimentación de alto voltaje

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Aiko Electronics Technology Co., Ltd.1 yr

Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo

AKQA13N90

Tipo

MOSFET

Marca

AIKO

Tipo de paquete

Agujero de labranza

Otros atributos

Tipo de montaje

A través de agujeros

Descripción

Baja resistencia en, Prueba de avalancha 100%, Buena estabilidad y uniformidad con alto EAS, Tecnología de proceso especial para la alta capacidad del ESD

Lugar del origen

Zhejiang, China

PAQUETE/cubierta

TO-3PN

Tipo

Transistor MOSFET

Temperatura de funcionamiento

-55 ℃ ~ + 150 ℃

Serie

MOSFET

Uso

Fuentes de alimentación de alta tensión o circuitos de pulso

Tipo de Proveedor

Fabricante Original, ODM

Los medios disponibles

Hoja de Datos, Foto

品名

AKQA13N90 MOSFET de potencia de canal N de 900V 13A

Corriente de colector (Ic) (máx.)

13A(TC = 25 ℃), 6.3A(TC = 100 ℃)

-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)

900V

Corriente de colector de corte (Max)

52A

Poder-Max

300W

Temperatura de funcionamiento

-55 °C ~ 150 °C

Tipo de Montaje

A través del orificio

Tensión de drenador a fuente (Vdss)

900V

Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C

13A

Rds (Max) @ Id Vgs

1,2 Ohmios

Vgs (th) (Max) @ Id

La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs

90nC

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)

3300pF

Corriente nominal (en amperios)

13A

-Tensión nominal

900V

Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)

3-5V

Configuración

Solo

-Tensión de distribución (V (BR) GSS)

900V

Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)

10uA

Corriente de drenaje (Id).

13A

Resistencia-On (RDS)

1,2 Ohmios

Tensión

900V

-Tensión Offset (Vt)

± 30V

Corriente de Valle Iv)

6.3A

Corriente de pico

13A

Aplicaciones

Fuentes de alimentación de alta tensión o circuitos de pulso.

Tipo de Transistor

Transistor MOSFET, Canal N, Modo de mejora

VDSS

900V

VGSS

± 30V

Corriente de drenaje (TC = 25 ℃)

13A

Corriente de drenaje (TC = 100 ℃)

6.3A

Energía de avalancha de pulso único

1100mJ

Disipación de potencia máxima (TC = 25 ℃)

300W

Tiempo de retardo de apagado

260ns

Carga total de la puerta

90nC

Aplicación 1

Fuentes de alimentación de alto voltaje

Aplicación 2

Circuitos de pulso

Embalaje y entrega

Unidades de venta:

Un solo artículo

Tamaño de paquete único:

1X3X5 cm

Peso bruto único:

0.006 kg

Plazo de entrega

Cantidad (piezas)	1 - 50000	50001 - 100000000	> 100000000
Hora del Est.(días)	20	30	Para negociar

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