8 "de diámetro 200 mm GaN-en-Si Epi-oblea para Micro-LED de 6 pulgadas de AlGaN/HEMT GaN-en-HR Si Epi oblea

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Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd.3 yrs

CN

Atributos clave

Otros atributos

Lugar del origen

Shanghai, China

Marca

XINKEHUI

Número de Modelo

Barrier AlGaN or AlN or InAlN

Tipo

Epitaxial de oblea

Thickness

semi standard

MOQ

2pcs

Application

powder device

Grade

prime

product name

layer on Si substrates

Certification

ROHS

Surface

SSP

Diamater

6INCH OR 8INCH

Substrate

si or sic

Shipping Term

FOB

Embalaje y entrega

Paquete

single wafer case by vacuum package

Puerto

Shanghai port

Plazo de entrega

Cantidad (piezas)	1 - 10	> 10
Hora del Est.(días)	14	Para negociar

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