Tipo de montaje
A través de los agujeros
Descripción
Tecnología de trinchera FieldStop, Coeficiente de temperatura positivo, VCE (SAT) = 2,0 V @ IC = 40A, Conmutación de alta velocidad y baja pérdida de potencia, Alta impedancia de entrada, Diodo de barrera SiC Schottky
Lugar del origen
Zhejiang, China
PAQUETE/cubierta
TO-247 TO-3PN
Temperatura de funcionamiento
-55 °C...+ 150 °C
Uso
Soldador de PFC UPS e inversor del picovoltio
Tipo de Proveedor
Fabricante Original, ODM
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto
品名
Transistor IGBT AKG40T65SMHC
Corriente de colector (Ic) (máx.)
40A @ TC = 100 °C, 80A @ TC = 25 °C
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
650V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
2,6 V @ IC = 40A
Corriente de colector de corte (Max)
1uA @ TC = 25 ℃
Poder-Max
167W @ TC = 25 ℃, 83W @ TC = 100 ℃
Temperatura de funcionamiento
-40 °C...+ 175 °C
Tipo de Montaje
A través del orificio
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
40A
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
161nC
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1685pF
Corriente nominal (en amperios)
40A
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4,0-6,0 V
Tipo IGBT de
Parada de Trench Field
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
650V
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
1685pF
Corriente de drenaje (Id).
80A
Aplicaciones
Inversor de UPS y convertidores de soldadura
Nombre del producto
Transistor de IGBT
Ficha de datos
Mensaje o correo electrónico
Tecnología
Parada de Trench Field
Característica
Conmutación de alta velocidad
Aplicación 2
Soldador y PV inversor