Descripción
PARADA 600V 120A TO247 DEL CAMPO DE IGBT
Tipo
Productos de semiconductores discretos
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Los medios disponibles
Otros
Corriente de colector (Ic) (máx.)
120 A
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
600 V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
2,4 V @ 15V, 60A
Corriente de colector de corte (Max)
N/A
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
N/A
-Frecuencia de transición
1.81mJ (encendido)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de Montaje
A través del orificio
Resistencia-emisor Base (R2)
N/A
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
N/A
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
N/A
Corriente de drenaje (Id).
N/A
Dirección de entrega
Shenzhen
Td (encendido/apagado) a 25 °C
23ns/130ns
Condición de la prueba
400V, 60A, 5Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (TRR)
47 NS