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Sustrato de 6 pulgadas tipo N, P-MOS/P-SBD/D, grado 4H-SiC, para dispositivos de energía y microondas
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Atributos clave
Otros atributos
Lugar del origen
China
Marca
GaNova
Número de Modelo
JDCD03-002-007
Tipo
GaN oblea
Polytype
None Permitted
Hexagon surface hybrid crystal
Not allow
Hexagonal Polycrystal
None Permitted
Diameter
150.0 mm +0mm/-0.2mm
Primary Flat Length
47.5 mm ± 1.5 mm
Embalaje y entrega
Paquete
carton
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