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      GaN-on-GaN PIN epi-wafer semiconductor, dispositivo de interruptor y detector, 2 pulgadas

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      Shanghai Ganova Electronic Information Co., Ltd.2 yrsCN
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      Atributos clave

      Otros atributos

      Lugar del origen
      China
      Marca
      GaNova
      Número de Modelo
      2JDWY03-001-039
      Tipo
      GaN oblea
      Type
      Free-standing N-type(Si-doping) GaN
      Polish
      Single side polished (SSP) / Double side polished (DSP)
      Dimension
      50.0 ± 0.3 mm
      Orientation
      C plane (0001) off angle toward M-axis 0.55 ± 0.15°
      Thickness
      400 ± 30 μm
      Structure
      0.5μm pGaN/20μm iGaN/2μm nGaN/FS-GaN
      Thickness/std
      1~25μm/<3%
      Roughness (Ra)
      <0.5 nm
      Package
      Packaged in a cleanroom in a single wafer container

      Embalaje y entrega

      Paquete
      carton
      Puerto
      Shanghai
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      >= 5 piezas
      VND 14,672,087

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