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      Transistor MOSFET de potencia de canal N de 16A y 650V, paquete de chip de China para balastos HID montados en vehículos y bicicletas eléctricas

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      Aiko Electronics Technology Co., Ltd.1 yrCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      AKF16N65P

      Tipo
      MOSFET

      Marca
      AIKO

      Tipo de paquete
      TO-220F

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      A través de agujeros

      Descripción
      Capacitancias intrínsecas bajas, Excelentes Características de conmutación, Área de funcionamiento seguro extendida, Carga de puerta inigualada, 100% avalancha probado

      Lugar del origen
      Zhejiang, China

      PAQUETE/cubierta
      TO-220F

      Tipo
      Transistor MOSFET

      Temperatura de funcionamiento
      -55 ℃ ~ + 150 ℃

      Serie
      MOSFET

      Uso
      Alto DC eficiente a los convertidores de DC

      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original, ODM

      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto

      品名
      AKF16N65P 650V 16A MOSFET de potencia de canal N

      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      16A(TC = 25 ℃), 9.5A(TC = 100 ℃)

      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      650V

      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      30V

      Corriente de colector de corte (Max)
      16A

      Poder-Max
      60W

      Temperatura de funcionamiento
      -55 °C ~ 150 °C

      Tipo de Montaje
      A través del orificio

      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      650V

      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      16A

      Rds (Max) @ Id Vgs
      0,52 ohmios

      Vgs (th) (Max) @ Id
      4V

      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      63nC

      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      2450pF @ 25V

      Corriente nominal (en amperios)
      16A

      -Tensión nominal
      650V

      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      2,0 V

      Vgs (Max)
      4,0 V

      Configuración
      Solo

      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      10V

      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      2450pF

      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      650V

      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      10-100uA

      Corriente de drenaje (Id).
      16A

      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      30V

      Resistencia-On (RDS)
      0,52 Ohm (Máx.)

      Tensión de salida-salida
      650V

      -Tensión Offset (Vt)
      ± 30V

      Corriente de Valle Iv)
      9.5A

      Corriente de pico
      16A

      Aplicaciones
      Conmutación rápida

      Tipo de Transistor
      Transistor MOSFET, Canal N, Modo de mejora

      VDSS
      650V

      VGSS
      ± 30V

      Corriente de drenaje (TC = 25 ℃)
      16A

      Corriente de drenaje (TC = 100 ℃)
      9.5A

      Energía de avalancha de pulso único
      920mJ

      Disipación de potencia máxima (TC = 25 ℃)
      60W

      Fuga del cuerpo de la puerta Corriente, Adelante
      100nA

      Voltaje del umbral de la puerta
      2-4V

      Aplicación 1
      Aplicaciones de UPS

      Aplicación 2
      Convertidores DC-DC y fuente de alimentación AC-DC

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      Cantidad (piezas)1 - 5000050001 - 100000000 > 100000000
      Hora del Est.(días)2030Para negociar

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