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      Paquete de transistor MOSFET de potencia de canal N de 15A 650V con baja resistencia en estado para fuentes de alimentación

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      Aiko Electronics Technology Co., Ltd.1 yrCN

      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      AKF15N65P
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      AIKO
      Tipo de paquete
      TO-220F

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      through holes
      Descripción
      Low Intrinsic Capacitances, Excellent Switching Characteristics, Extended Safe Operating Area, Unrivalled Gate Charge, 100% Avalanche Tested
      Lugar del origen
      Zhejiang, China
      PAQUETE/cubierta
      TO-220F
      Tipo
      MOSFET transistor
      Temperatura de funcionamiento
      -55℃~+150℃
      Serie
      MOSFET
      Uso
      high efficient DC to DC converters
      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original, ODM
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto
      品名
      AKF15N65P 650V 15A N-Channel Power MOSFET
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      15A(TC=25℃), 9.5A(TC=100℃)
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      650V
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      30V
      Corriente de colector de corte (Max)
      15A
      Poder-Max
      60W
      Temperatura de funcionamiento
      -55°C ~ 150°C
      Tipo de Montaje
      A través del orificio
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      650V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      15A
      Rds (Max) @ Id Vgs
      0.52 Ohm
      Vgs (th) (Max) @ Id
      4V
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      63nC
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      2450pF @ 25V
      Corriente nominal (en amperios)
      15A
      -Tensión nominal
      650V
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      2.0V
      Vgs (Max)
      4.0V
      Configuración
      Solo
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      10V
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      2450pF
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      650V
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      10-100uA
      Corriente de drenaje (Id).
      15A
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      30V
      Resistencia-On (RDS)
      0.52 Ohm(Max.)
      Tensión de salida-salida
      650V
      -Tensión Offset (Vt)
      ±30V
      Corriente de Valle Iv)
      9.5A
      Corriente de pico
      15A
      Aplicaciones
      fast switching
      Tipo de Transistor
      MOSFET transistor, N-Channel, Enhancement Mode
      VDSS
      650V
      VGSS
      ±30V
      Drain Current(TC=25℃)
      15A
      Drain Current(TC=100℃)
      9.5A
      Single Pulse Avalanche Energy
      920mJ
      Maximum Power Dissipation(TC=25℃)
      60W
      Gate-body leakage Current, Forward
      100nA
      Gate Threshold Voltage
      2-4V
      Application 1
      UPS Applications
      Application 2
      DC-DC Converters and AC-DC Power Supply
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