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      1200V 33A SiC Power MOSFET 75 Milli Ohm N-Channel MOSFET Transistor TO-247 Paquete para inversores solares

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      Aiko Electronics Technology Co., Ltd.1 yrCN

      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      AKCQH080N120B
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      AIKO
      Tipo de paquete
      Agujero de labranza

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      A través del agujero
      Descripción
      Resistencia de encendido típica: RDS (encendido) = 75 Ohm Mili (típico), Alto voltaje de bloqueo, Prueba de avalancha 100%, Buena estabilidad y uniformidad con alto EAS
      Lugar del origen
      Zhejiang, China
      PAQUETE/cubierta
      TO-247
      Tipo
      Transistor SiC MOSFET
      Temperatura de funcionamiento
      -40 ℃ ~ + 175 ℃
      Serie
      MOSFET SiC
      Uso
      Switch Mode Power Supplies
      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original, ODM
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto
      品名
      AKCQH080N120B 1200V SiC MOSFET de potencia
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      33A(TC = 25 ℃), 23.8A(TC = 100 ℃)
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      1225V
      Corriente de colector de corte (Max)
      80A
      Poder-Max
      300W
      Temperatura de funcionamiento
      -40 °C ~ 175 °C
      Tipo de Montaje
      A través del orificio
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      1200V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      33A
      Rds (Max) @ Id Vgs
      95 Milli ohmios
      Vgs (th) (Max) @ Id
      4,2 V
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      75nC
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      1250pF
      Corriente nominal (en amperios)
      33A
      -Tensión nominal
      1200V
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      2,0-4,2 V
      Configuración
      Solo
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      1200V
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      100uA
      Corriente de drenaje (Id).
      33A
      Resistencia-On (RDS)
      75 Milli ohmios
      Tensión
      1200V
      -Tensión Offset (Vt)
      -10/+ 25V
      Corriente de Valle Iv)
      23.8A
      Corriente de pico
      33A
      Aplicaciones
      Suministros de energía de Modo Conmutado
      Tipo de Transistor
      Transistor SiC MOSFET, Canal N
      VDSS
      1200V
      VGSS
      -10/+ 25V
      Corriente de drenaje (TC = 25 ℃)
      33A
      Corriente de drenaje (TC = 100 ℃)
      23.8A
      Energía de avalancha de pulso único
      800mJ
      Disipación de potencia máxima (TC = 25 ℃)
      300W
      Tiempo de retardo de apagado
      50ns
      Carga total de la puerta
      75nC
      Corriente de drenaje pulsada
      80A
      Aplicación
      Suministros de energía de Modo Conmutado

      Embalaje y entrega

      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      1X3X5 cm
      Peso bruto único:
      0.006 kg
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      Plazo de entrega

      Cantidad (piezas)1 - 5000050001 - 100000000 > 100000000
      Hora del Est.(días)2030Para negociar
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