(First Choice) BLC9G21LS-60AVY Brand New Original RF Power Discrete Transistors JFET GaN HEMT

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Shenzhen Mingweida Electronics Co., Ltd.1 yr

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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo

BLC9G21LS-60AVY

Tipo

Encapsulado de TRANSISTOR RF

Marca

Original

Tipo de paquete

Montaje superficial

Otros atributos

Tipo de montaje

standard

Descripción

standard

Lugar del origen

Guangdong, China

PAQUETE/cubierta

standard

Tipo

standard

Temperatura de funcionamiento

standard

Serie

d/c

Uso

Controlador MOSFET

Tipo de Proveedor

Fabricante Original

Los medios disponibles

Hoja de Datos

品名

RF POWER DISCRETE TRANSISTORS

Corriente de colector (Ic) (máx.)

standard1

-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)

standard2

Vce de saturación (Max) @ Ib Ic

standard3

Corriente de colector de corte (Max)

standard4

Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce

standard5

Poder-Max

standard

-Frecuencia de transición

standard

Temperatura de funcionamiento

standard

Resistencia Base (R1)

standard

Resistencia-emisor Base (R2)

standard

FET tipo

standard

Tensión de drenador a fuente (Vdss)

standard

Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C

standard

Rds (Max) @ Id Vgs

standard

Vgs (th) (Max) @ Id

standard

La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs

standard

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)

standard

Frecuencia

standard

Corriente nominal (en amperios)

Ruido

Potencia de salida

-Tensión nominal

Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)

Vgs (Max)

Tipo IGBT de

Vce (on) (Max) @ Vge Ic

standard

Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce

standard

De entrada

standard

Termistor NTC

standard

-Tensión de distribución (V (BR) GSS)

standard

Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)

standard

Corriente de drenaje (Id).

standard

-Tensión de corte (VGS) @ Id

standard

Resistencia-On (RDS)

standard

Tensión

standard

Tensión de salida-salida

standard

-Tensión Offset (Vt)

standard

Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)

standard

Corriente de Valle Iv)

standard

Corriente de pico

standard

Aplicaciones

standard

Tipo de Transistor

standard

Part #

BLC9G21LS-60AVY

Manufacturer

Ampleon

Process

GaN HEMT

Type

RF Power Discrete Transistors

LEAD TIME

1-2Days

Description

Brand New Original

Plazo de entrega

Cantidad (piezas)	1 - 1	> 1
Hora del Est.(días)	1	Para negociar

Personalizacion

Pedido mínimo: 1

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SAR 190.99

>= 100 piezas

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