(First Choice) A5G38H120NT2 RF Power Discrete Transistors JFET Brand New Original A5G38H120

No hay reseñas aún

Shenzhen Mingweida Electronics Co., Ltd.1 yr

Pasa el mouse por encima para acercar

Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo

A5G38H120NT2

Tipo

Encapsulado de TRANSISTOR RF

Marca

Original

Tipo de paquete

Montaje superficial

Otros atributos

Tipo de montaje

standard

Descripción

standard

Lugar del origen

Guangdong, China

PAQUETE/cubierta

standard

Tipo

standard

Temperatura de funcionamiento

standard

Serie

d/c

Uso

Controlador MOSFET

Tipo de Proveedor

Fabricante Original

Los medios disponibles

Hoja de Datos

品名

RF POWER DISCRETE TRANSISTORS

Corriente de colector (Ic) (máx.)

standard1

-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)

standard2

Vce de saturación (Max) @ Ib Ic

standard3

Corriente de colector de corte (Max)

standard4

Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce

standard5

Poder-Max

standard

-Frecuencia de transición

standard

Temperatura de funcionamiento

standard

Resistencia Base (R1)

standard

Resistencia-emisor Base (R2)

standard

FET tipo

standard

Tensión de drenador a fuente (Vdss)

standard

Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C

standard

Rds (Max) @ Id Vgs

standard

Vgs (th) (Max) @ Id

standard

La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs

standard

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)

standard

Frecuencia

standard

Corriente nominal (en amperios)

Ruido

Potencia de salida

-Tensión nominal

Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)

Vgs (Max)

Tipo IGBT de

Vce (on) (Max) @ Vge Ic

standard

Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce

standard

De entrada

standard

Termistor NTC

standard

-Tensión de distribución (V (BR) GSS)

standard

Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)

standard

Corriente de drenaje (Id).

standard

-Tensión de corte (VGS) @ Id

standard

Resistencia-On (RDS)

standard

Tensión

standard

Tensión de salida-salida

standard

-Tensión Offset (Vt)

standard

Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)

standard

Corriente de Valle Iv)

standard

Corriente de pico

standard

Aplicaciones

standard

Tipo de Transistor

standard

Part #

A5G38H120NT2

Manufacturer

NXP

Process

GaN

Type

RF Power Discrete Transistors

LEAD TIME

1-2Days

Description

Brand New Original

Plazo de entrega

Cantidad (piezas)	1 - 1	> 1
Hora del Est.(días)	1	Para negociar

Personalizacion

Pedido mínimo: 1

Para más detalles de personalización, enviar mensaje al proveedor

Descripciones de productos del proveedor

1 - 99 piezas

CNY 144.72

>= 100 piezas

CNY 14.48

Variaciones

Opciones totales:

Seleccionar ahora

Envío

Las soluciones de envío para la cantidad seleccionada no están disponibles actualmente

Beneficios de la membresía

Reembolsos rápidos Ver más

Protecciones para este producto

Pagos seguros

Cada pago que realices en Alibaba.com está protegido con un estricto cifrado SSL y protocolos de protección de datos PCI DSS

Política de reembolso

Solicita un reembolso si tu pedido no se envía, falta o llega con problemas con el producto