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MOSFET de potencia (rápido) diodo 30NM60ND STI30NM60N I2PAK
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Atributos clave
Especificación esencial de la industria
Número de Modelo
STI30NM60N
Marca
ST
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Otros atributos
Lugar del origen
United States
PAQUETE/cubierta
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
品名
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de Montaje
A través del orificio
FET tipo
N-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
600V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
25A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
130mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
91nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
2700pF @ 50V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±30V
Electronics Description
Power MOSFET (with fast diode)
Embalaje y entrega
Paquete
Sealed package, tube, reel
Puerto
shenzhen
Descripciones de productos del proveedor
10 - 99 piezas
EUR 0.7523
>= 100 piezas
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