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400V 3.1A P Mosfet de potencia de canal IRFR320TRR Transistor
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Atributos clave
Especificación esencial de la industria
Número de Modelo
IRFR3303TRR
Tipo
MOSFET
Marca
N/A
Tipo de paquete
Montaje superficial
Otros atributos
Lugar del origen
Alaska, United States
PAQUETE/cubierta
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
d/c
new
Uso
Propósito General
品名
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de Montaje
Montaje superficial
FET tipo
N-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
33A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
31mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
750pF @ 25V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type
Field-Effect Transistor
Package/Case
TO-252-3
Embalaje y entrega
Paquete
Tube/reel/bags
Puerto
shenzhen
Personalizacion
Embalaje personalizado
Pedido mínimo: 1000
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