Lugar del origen
Sichuan, China
Forma
LINGOTE. Bar 4N 4N5 4N estéril
Nombre del producto:
4N 5N indio estéril
Conductividad térmica:
0.818 W/cm/K @ 298,2 K
De resistividad eléctrica:
8,37 microhm-cm @ 20 ℃
Aplicación:
ITO objetivo materiales semiconductores, etc
Acking:
Embalado en vacío bolsa de poliéster/bolsa de plástico