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      SY CHIPS IC FCH20N60 20N60 Nuevo Original 600V 20A TO-247 Transistor MOSFET FCH20N60

      (1 review)3 pedidos
      Shenzhen Sy Chips Technology Co., Ltd.Proveedor multi-especialidad5 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      FCH20N60
      Tipo
      Mosfet
      Marca
      Original Brand
      Tipo de paquete
      Agujero de labranza

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      -
      Descripción
      -
      Lugar del origen
      Japan
      PAQUETE/cubierta
      -
      d/c
      Nuevo
      品名
      FCH20N60
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      -
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      -
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      -
      Corriente de colector de corte (Max)
      -
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      -
      Poder-Max
      -
      -Frecuencia de transición
      -
      Temperatura de funcionamiento
      -
      Tipo de Montaje
      -
      Resistencia Base (R1)
      -
      Resistencia-emisor Base (R2)
      -
      FET característica
      -
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      -
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      -
      Rds (Max) @ Id Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      -
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      -
      Frecuencia
      -
      Corriente nominal (en amperios)
      -
      Ruido
      -
      Potencia de salida
      -
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      -
      Vgs (Max)
      -
      Tipo IGBT de
      --
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      --
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      -
      Termistor NTC
      -
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      -
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Corriente de drenaje (Id).
      -
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      -
      Nombre del producto
      FCH20N60
      Categoría del producto
      MOSFET
      Paquete/caso
      TO-247-3
      Número de canales
      1 canal
      Tiempo de subida
      140 NS
      Palabras clave
      Transistor
      Vds-Voltaje de ruptura de drenaje-fuente
      600 V
      Id-Corriente de drenaje continuo
      20 A
      RDS Resistencia en la fuente de drenaje
      190 mOhms
      Peso de la unidad
      38g

      Embalaje y entrega

      Paquete
      Tube
      Puerto
      Shenzhen
      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      10X10X10 cm
      Peso bruto único:
      0.500 kg
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