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GaN (tipo N no dopado) plantilla (100nm) sobre Si (111) N-P-dopado con 5x5x0.279mm 1sp R:1-10 ohm cm
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Henan Chengyi Laboratory Equipment Co., Ltd.
5 yrs
CN
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Atributos clave
Otros atributos
Lugar del origen
China
Clasificación
Otros
Marca
Chengyi
Número de Modelo
FmGaNonSiPc05050279C1FT100
Nominal GaN thickness
0.1μm ± 0.1 μm
Front Surface finish (Ga-face)
<1nm RMS, As-grown
Back surface finish
Silicon ( 111) N-type P-doped R:1-10 ohm.cm
GaN orientation
C-plane (00.1)
Polarity
Ga-face
Conduction Type
Undoped (N-) and resistivities: < 0.05 Ohm-cm
Macro Defect Density
<1/cm^2
Wafer base
Silicon [111], 5x5x0.279mm, one side polished
Embalaje y entrega
Paquete
Packed in wooden case, fixed by sponge
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