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      Módulo IGBT de alto rendimiento Infineon transistor IGBT módulos precio de fábrica gran stock

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      Anyhertz Drive(Shenzhen)Co.,Ltd.Fabricante personalizado12 yrsCN

      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      Infineon
      Tipo
      IGBT Transistor
      Marca
      Infineon Anyhz
      Tipo de paquete
      CTI > 400

      Otros atributos

      Tipo de montaje
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      Descripción
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      Lugar del origen
      Guangdong, China
      PAQUETE/cubierta
      CTI > 400
      Tipo
      igbt modules
      Temperatura de funcionamiento
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      Serie
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      d/c
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      Uso
      Alta frecuencia
      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original, ODM, Agencia, Minorista, Other
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD, Other
      品名
      IGBT
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
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      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
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      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
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      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
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      Temperatura de funcionamiento
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      Tipo de Montaje
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      Resistencia Base (R1)
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      Resistencia-emisor Base (R2)
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      FET tipo
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      FET característica
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      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
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      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
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      Rds (Max) @ Id Vgs
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      Vgs (th) (Max) @ Id
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      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
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      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
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      Frecuencia
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      Corriente nominal (en amperios)
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      Ruido
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      Potencia de salida
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      -Tensión nominal
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      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
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      Vgs (Max)
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      Tipo IGBT de
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      Configuración
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      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
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      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
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      De entrada
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      Termistor NTC
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      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
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      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
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      Corriente de drenaje (Id).
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      -Tensión de corte (VGS) @ Id
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      Resistencia-On (RDS)
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      Tensión
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      Tensión de salida-salida
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      -Tensión Offset (Vt)
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      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
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      Corriente de Valle Iv)
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      Corriente de pico
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      Aplicaciones
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      Tipo de Transistor
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      Color
      White
      Highest power density
      Highest power density
      RoHS compliant
      RoHS compliant
      Best-in-class VCEsat
      Best-in-class VCEsat
      Tvj op = 175°C overload
      Tvj op = 175°C overload
      4 kV AC 1 min Insulation
      4 kV AC 1 min Insulation
      UL/CSA Certification with UL1557 E83336
      UL/CSA Certification with UL1557 E83336
      High Creepage and Clearance
      High Creepage and Clearance

      Embalaje y entrega

      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      8.5X15.3X11.3 cm
      Peso bruto único:
      0.100 kg
      Mostrar más

      Plazo de entrega

      Cantidad (piezas)1 - 2021 - 500501 - 5000 > 5000
      Hora del Est.(días)73060Para negociar

      Personalizacion

      Customized logo
      Pedido mínimo: 50
      Customized packaging
      Pedido mínimo: 50
      Graphic customization
      Pedido mínimo: 50
      Para más detalles de personalización, enviar mensaje al proveedor

      Descripciones de productos del proveedor

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