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      G80N60UFD chip IGBT 80A 600V Transistores IGBT de la serie SGH80N60UFD G80N60 UFD G80N60UFD

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      Shenzhen Tengyilong Electronics Co., Ltd.1 yrCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      G80N60UFD
      Tipo
      JFET
      Marca
      Original
      Tipo de paquete
      Montaje superficial

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      Estándar
      Descripción
      Transistor
      Lugar del origen
      Original
      PAQUETE/cubierta
      TO-3P
      Tipo
      Estándar, Transistor
      Temperatura de funcionamiento
      Estándar
      Serie
      Transistor
      d/c
      Nuevo
      Uso
      Estándar
      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos
      品名
      G80N60UFD
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      Estándar
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      Estándar
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      Estándar
      Corriente de colector de corte (Max)
      Estándar
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      Estándar
      Poder-Max
      Estándar
      -Frecuencia de transición
      Estándar
      Resistencia Base (R1)
      Estándar
      Resistencia-emisor Base (R2)
      Estándar
      FET tipo
      Estándar
      FET característica
      Estándar
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      Estándar
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      Estándar
      Rds (Max) @ Id Vgs
      Estándar
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Estándar
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      Estándar
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      Estándar
      Frecuencia
      Estándar
      Corriente nominal (en amperios)
      Estándar
      Ruido
      Estándar
      Potencia de salida
      Estándar
      -Tensión nominal
      Estándar
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      Estándar
      Vgs (Max)
      Estándar
      Tipo IGBT de
      Estándar
      Configuración
      Estándar
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      Estándar
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      Estándar
      De entrada
      Estándar
      Termistor NTC
      Estándar
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      Estándar
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      Estándar
      Corriente de drenaje (Id).
      Estándar
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      Estándar
      Resistencia-On (RDS)
      Estándar
      Tensión
      Estándar
      Tensión de salida-salida
      Estándar
      -Tensión Offset (Vt)
      Estándar
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      Estándar
      Corriente de Valle Iv)
      Estándar
      Corriente de pico
      Estándar
      Aplicaciones
      Estándar
      Tipo de Transistor
      Transistores IGBT
      Pago
      Paypal \ TT \ Western Union \ Trade Assurance
      Envío POR
      DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
      TIEMPO DE PLENO
      1-3 días laborables
      Proveedor
      Tecnología Co., Ltd. de Shenzhen Huanxin.

      Embalaje y entrega

      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      3X3X3 cm
      Peso bruto único:
      0.100 kg
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      Plazo de entrega

      Cantidad (piezas)1 - 10000 > 10000
      Hora del Est.(días)3Para negociar

      Personalizacion

      Embalaje personalizado
      Pedido mínimo: 10000
      Para más detalles de personalización, enviar mensaje al proveedor

      Descripciones de productos del proveedor

      >= 1 piezas
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