Tipo de montaje
A través del agujero, Montaje en superficie
Descripción
MOSFET de potencia
Lugar del origen
Guangdong, China
Temperatura de funcionamiento
Estándar
Uso
Aplicaciones de alta potencia
Tipo de Proveedor
Fabricante Original, ODM, Agencia
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.)
N/A
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
Estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
N/A
Corriente de colector de corte (Max)
N/A
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
N/A
-Frecuencia de transición
N/A
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de Montaje
A través del orificio
Resistencia-emisor Base (R2)
N/A
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
N/A
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
N/A
Rds (Max) @ Id Vgs
Estándar
Vgs (th) (Max) @ Id
Estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
N/A
Corriente nominal (en amperios)
N/A
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
N/A
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
N/A
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
N/A
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
N/A
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
N/A
Corriente de drenaje (Id).
N/A
-Tensión de corte (VGS) @ Id
N/A
Tensión de salida-salida
N/A
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
N/A
Corriente de Valle Iv)
N/A
Tipo de Transistor
Estándar