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Transistores de potencia Chiptime 13009, 220, TO-700, 12A/V
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Atributos clave
Especificación esencial de la industria
Número de Modelo
J13009-2
Tipo
Standard
Marca
Original
Tipo de paquete
Estándar
Otros atributos
Tipo de montaje
Estándar
Descripción
Estándar
Lugar del origen
Johor, Malaysia
PAQUETE/cubierta
Estándar
Tipo
Estándar
Temperatura de funcionamiento
Estándar
d/c
NUEVO
Uso
Estándar
Tipo de Proveedor
Fabricante Original, ODM, Agencia, Minorista, Otros
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, Otros
品名
Transistor de potencia IGBT
Corriente de colector (Ic) (máx.)
Estándar
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
Estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Estándar
Corriente de colector de corte (Max)
Estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Estándar
Poder-Max
Estándar
-Frecuencia de transición
Estándar
Temperatura de funcionamiento
Standard
Tipo de Montaje
Standard
Resistencia Base (R1)
Estándar
Resistencia-emisor Base (R2)
Estándar
FET tipo
Estándar
FET característica
Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
Estándar
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
Estándar
Rds (Max) @ Id Vgs
Estándar
Vgs (th) (Max) @ Id
Estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
Estándar
Frecuencia
Estándar
Corriente nominal (en amperios)
Estándar
Ruido
Estándar
Potencia de salida
Estándar
-Tensión nominal
Estándar
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
Estándar
Vgs (Max)
Estándar
Tipo IGBT de
Estándar
Configuración
Estándar
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Estándar
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Estándar
De entrada
Estándar
Termistor NTC
Estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Estándar
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Estándar
Corriente de drenaje (Id).
Estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Estándar
Resistencia-On (RDS)
Estándar
Tensión
Estándar
Tensión de salida-salida
Estándar
-Tensión Offset (Vt)
Estándar
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Estándar
Corriente de Valle Iv)
Estándar
Corriente de pico
Estándar
Aplicaciones
Estándar
Tipo de Transistor
Estándar
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| Hora del Est.(días) | 3 | Para negociar |
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