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      CGH40120F CGH40120 (120 W RF Power GaN HEMT) Transistor de efecto de campo CGH40120F

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      Shenzhen Keyongbang Electronics Co., Ltd.2 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      CGH40120F
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      Original Brand
      Tipo de paquete
      Montaje superficial

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      Through Hole
      Descripción
      /
      Lugar del origen
      China
      PAQUETE/cubierta
      /
      Tipo
      Field-Effect Transistor
      Temperatura de funcionamiento
      -55°C ~ 175°C (TJ)
      d/c
      In-Stock
      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original
      Referencia cruzada
      2SJ6920
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto
      品名
      RF MOSFET HEMT 28V 440193
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      15A
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      250V
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      202A
      Corriente de colector de corte (Max)
      0.5A
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      75 @ 3A, 5V
      Poder-Max
      333
      -Frecuencia de transición
      30MHz
      Tipo de Montaje
      other
      Resistencia Base (R1)
      110Ω
      Resistencia-emisor Base (R2)
      200Ω
      FET tipo
      N-Channel
      FET característica
      No aplicable
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      55V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      110A (Tc)
      Rds (Max) @ Id Vgs
      290m0hm 10A,10V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      5V 250HA
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      54nC 10V
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      1500pF 25V
      Frecuencia
      0Hz ~ 4GHz
      Corriente nominal (en amperios)
      28A
      Ruido
      -
      Potencia de salida
      120W
      -Tensión nominal
      84V
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      10V
      Vgs (Max)
      ±20V
      Tipo IGBT de
      -
      Configuración
      No aplicable
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      -
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      -
      De entrada
      -
      Termistor NTC
      -
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      -
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Corriente de drenaje (Id).
      18 A
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      -
      Resistencia-On (RDS)
      52 mOhms
      Tensión
      55V
      Tensión de salida-salida
      40V
      -Tensión Offset (Vt)
      40V
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      -
      Corriente de Valle Iv)
      -
      Corriente de pico
      -
      Aplicaciones
      other
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