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      BSS84 SMD transistores P-Channel 50 V 130mA (Ta) 225mW (Ta) Montaje en superficie Die MOSFET Señal pequeña MOSFET de potencia

      No hay reseñas aún
      Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrsCN

      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      BSS84
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      Original Brand
      Tipo de paquete
      Morir

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      Montaje en superficie
      Descripción
      P-CH MOSFET 50V 130MA SOT23-3
      Lugar del origen
      Original
      PAQUETE/cubierta
      Morir
      Tipo
      Canal P
      Temperatura de funcionamiento
      150 °C (TJ)
      Serie
      Original
      d/c
      Más reciente
      Uso
      Propósito General
      Tipo de Proveedor
      Minorista
      Referencia cruzada
      BSS84TR-NDR
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD
      品名
      Transistores
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      Estándar
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      50V
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      Original
      Corriente de colector de corte (Max)
      130mA (Ta)
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      Estándar
      Poder-Max
      225mW (Ta)
      -Frecuencia de transición
      Estándar
      Temperatura de funcionamiento
      150°C (TJ)
      Tipo de Montaje
      Montaje superficial
      Resistencia Base (R1)
      Original
      Resistencia-emisor Base (R2)
      Original
      FET tipo
      Canal P
      FET característica
      Estándar
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      50V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      130mA (Ta)
      Rds (Max) @ Id Vgs
      4,5 V,10V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      2,5 V @ 250uA
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      1,3 nC @ 5 V
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      73 pF @ 25 V
      Frecuencia
      Estándar
      Corriente nominal (en amperios)
      130mA (Ta)
      Ruido
      Original
      Potencia de salida
      225mW (Ta)
      -Tensión nominal
      50V
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      4,5 V,10V
      Vgs (Max)
      ± 20V
      Tipo IGBT de
      Original
      Configuración
      Solo
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      Original
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      Estándar
      De entrada
      Original
      Termistor NTC
      Original
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      50V
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      130mA (Ta)
      Corriente de drenaje (Id).
      130mA (Ta)
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      50V
      Resistencia-On (RDS)
      Original
      Tensión
      50V
      Tensión de salida-salida
      50V
      -Tensión Offset (Vt)
      50V
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      130mA (Ta)
      Corriente de Valle Iv)
      130mA (Ta)
      Corriente de pico
      130mA (Ta)
      Aplicaciones
      Propósito general
      Tipo de Transistor
      Canal P
      Rds en (Max) @ Id, Vgs
      8Ohm @ 150mA, 10V
      Tecnología
      MOSFET (óxido de metal)
      Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
      73 pF @ 25 V
      Modo de canal
      Mejora
      Número de elementos por chip
      1
      Recuento de Pin
      3
      Forma de plomo
      Ala de gaviota
      Estado de RoHS
      ROHS3 obediente
      Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
      1 (Ilimitado)
      Paquete estándar
      3000PCS/carrete

      Embalaje y entrega

      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      19X19X10 cm
      Peso bruto único:
      1.000 kg
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