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Dongguan Mixin Micro Semiconductor Co., Ltd.Fabricante personalizado3 yrsCN

Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo
IKW50N65H5AXKSA1
Tipo
Transistor
Marca
Original
Tipo de paquete
A través del agujero

Otros atributos

Tipo de montaje
A través del agujero
Descripción
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Lugar del origen
Original
PAQUETE/cubierta
TO-247-3
Temperatura de funcionamiento
-40 °C ~ 175 °C (TJ)
d/c
Nuevo
品名
IKW50N65H5AXKSA1
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
N/A
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
N/A
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
N/A
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de Montaje
A través del orificio
Marca
Original
Tiempo de almacenamiento
3-5day (3-5día)
Dirección de entrega
Shenzhen

Embalaje y entrega

Paquete
Embalaje sellado de fábrica nuevo y original, se empaquetará en uno de estos tipos de embalaje: tubo, bandeja, cinta y carrete, cinta y caja, embalaje a granel, bolsa, etc. Por favor, póngase en contacto con nosotros para obtener más detalles.
Puerto
shenzhen

Plazo de entrega

Cantidad (piezas)1 - 10000 > 10000
Hora del Est.(días)3Para negociar

Personalizacion

PCBA
Pedido mínimo: 1

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>= 10 piezas
INR 8.50

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