FDV301N Transistores N-Channel 25 V 220mA 350mW Montaje en superficie SOT-23-3 Transistores MOSFET n channel

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Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrs

Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo

FDV301N

Tipo

MOSFET

Marca

Original Brand

Tipo de paquete

TO-236-3 & SC-59 & SOT-23-3

Otros atributos

Tipo de montaje

Surface Mount

Descripción

MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23

Lugar del origen

Original

PAQUETE/cubierta

TO-236-3 & SC-59 & SOT-23-3

Tipo

N-Channel

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Serie

d/c

Newest

Uso

Propósito General

Tipo de Proveedor

Minorista

Referencia cruzada

FDV301NTR-NDR

Los medios disponibles

Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD

品名

Transistors

Corriente de colector (Ic) (máx.)

220mA (Ta)

-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)

25 V

Vce de saturación (Max) @ Ib Ic

Standard

Corriente de colector de corte (Max)

220mA (Ta)

Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce

Standard

Poder-Max

350mW (Ta)

-Frecuencia de transición

Standard

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Resistencia Base (R1)

Standard

Resistencia-emisor Base (R2)

Standard

FET tipo

N-Channel

FET característica

Estándar

Tensión de drenador a fuente (Vdss)

25 V

Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C

220mA (Ta)

Rds (Max) @ Id Vgs

Standard

Vgs (th) (Max) @ Id

1.06V @ 250uA

La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs

0.7 nC @ 4.5 V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)

9.5 pF @ 10 V

Frecuencia

Standard

Corriente nominal (en amperios)

Standard

Ruido

Standard

Potencia de salida

350mW (Ta)

-Tensión nominal

25 V

Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)

2.7V,4.5V

Vgs (Max)

±8V

Tipo IGBT de

Standard

Configuración

Solo

Vce (on) (Max) @ Vge Ic

Standard

Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce

Standard

De entrada

Standard

Termistor NTC

Standard

-Tensión de distribución (V (BR) GSS)

25 V

Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)

220mA (Ta)

Corriente de drenaje (Id).

220mA (Ta)

-Tensión de corte (VGS) @ Id

Standard

Resistencia-On (RDS)

Standard

Tensión

25 V

Tensión de salida-salida

25 V

-Tensión Offset (Vt)

25 V

Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)

220mA (Ta)

Corriente de Valle Iv)

220mA (Ta)

Corriente de pico

220mA (Ta)

Aplicaciones

General Purpose

Tipo de Transistor

N-Channel

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Channel Mode

Enhancement

PCB changed

Number of Elements per Chip

Standard Package

3000pcs/REEL

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

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Un solo artículo

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19X19X10 cm

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