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      Transistores MOSFET FQPF8N65 2N65 5N65 6N65 FQF8N65 8N65 650V 8A a 220 251, venta directa de fábrica

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      Wuxi Yarun Semiconductor Technology Co., Ltd.7 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      Transistors 650V
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      YR
      Tipo de paquete
      Montaje superficial

      Otros atributos

      Descripción
      Transistores 650V
      Lugar del origen
      Jiangsu, China
      PAQUETE/cubierta
      To252
      Uso
      Interruptor de potencia de circuitos
      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original, ODM, Agencia, Minorista, Otros
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD, Otros
      品名
      20N03 mosfet
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      Null
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      Null
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      Null
      Corriente de colector de corte (Max)
      Null
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      Null
      Poder-Max
      Null
      -Frecuencia de transición
      Null
      Temperatura de funcionamiento
      Null
      Tipo de Montaje
      A través del orificio
      Resistencia Base (R1)
      Null
      Resistencia-emisor Base (R2)
      Null
      FET tipo
      Null
      FET característica
      Carburo de silicio (SiC)
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      Null
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      Null
      Rds (Max) @ Id Vgs
      Null
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Null
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      Null
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      Null
      Frecuencia
      Null
      Corriente nominal (en amperios)
      Null
      Ruido
      Null
      Potencia de salida
      Null
      -Tensión nominal
      Null
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      Null
      Vgs (Max)
      Null
      Tipo IGBT de
      Null
      Configuración
      Solo
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      Null
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      Null
      De entrada
      Null
      Termistor NTC
      Null
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      Null
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      Null
      Corriente de drenaje (Id).
      Null
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      Null
      Resistencia-On (RDS)
      Null
      Tensión
      Null
      Tensión de salida-salida
      Null
      -Tensión Offset (Vt)
      Null
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      Null
      Corriente de Valle Iv)
      Null
      Corriente de pico
      Null
      Aplicaciones
      Null
      Nombre
      Transistores FQPF8N65
      Nombre del producto
      DC/DC tipo de convertidor DC/DC
      Chip de arquitectura
      P
      El uso de
      Cargador de coche
      Paquete
      A-220
      El tiempo de entrega
      3-15 días
      Lugar de origen:
      Jiangsu China (continental).
      El pago
      PayPal Visa al oeste de la Unión T/T
      Envío
      DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post

      Embalaje y entrega

      Paquete
      Transistores FQPF8N65
      Paquete: 50 piezas en un tubo
      Unidades de venta:
      Un solo artículo
      Tamaño de paquete único:
      0.16X0.41X1.49 cm
      Peso bruto único:
      0.100 kg
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