K3878 2SK3878 Transistor Mosfet, Canal N, 900V 9A 2SK3878(STA1 E S)

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Dongguan Mixin Micro Semiconductor Co., Ltd.

Fabricante personalizado4 yrs

Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo

2SK3878(STA1 E S)

Tipo

MOSFET

Marca

Original

Tipo de paquete

Montaje superficial

Otros atributos

Tipo de montaje

SMD

Descripción

2SK3878

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

SC-65

Tipo

Transistores

Serie

Transistor

d/c

Nuevo

Uso

Transistor del Mosfet

Los medios disponibles

Hoja de Datos

品名

2SK3878(STA1 E S)

Poder-Max

150W

Tipo de Montaje

Montaje superficial

FET tipo

Canal N

FET característica

Tensión de drenador a fuente (Vdss)

900V

Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C

Vgs (th) (Max) @ Id

1Ω @ 10V,4A

La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)

2.2nF @ 25V

Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)

Vgs (Max)

Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce

2.2nF @ 25V

Aplicaciones

Marca

Original

Tiempo de la media

3-5day (3-5día)

Dirección de entrega

Shenzhen

Plazo de entrega

Cantidad (piezas)	1 - 10000	> 10000
Hora del Est.(días)	3	Para negociar

Personalizacion

PCBA

Pedido mínimo: 1

SMT

Pedido mínimo: 1

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>= 1 piezas

EUR 0.0944

Variaciones

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