GaN-capa sobre oblea si, basado en silicona GaN, GaN-on-Si, para dispositivo de energía, 6 ", 8"

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Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd.3 yrs

CN

Atributos clave

Otros atributos

Lugar del origen

China

Marca

XINKEHUI

Número de Modelo

Barrier AlGaN or AlN or InAlN

Tipo

Epitaxial de oblea

De espesor

Semi estándar

MOQ

2pcs

Aplicación

Polvo de dispositivo

Grado

El primer

Nombre del producto

Capa Si sustratos

La certificación

ROHS

Superficie

SSP

Diámetro

6 pulgadas o de 8 pulgadas

Sustrato

Si o sic

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