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2N65 TO252, Canal N, 650V 2A MOSFET de potencia smd Transistor hualichip circuito integrado ic bien mos 2N65
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Atributos clave
Especificación esencial de la industria
Número de Modelo
2N65
Tipo
Transistor MOSFET
Marca
HLX
Tipo de paquete
Montaje superficial
Otros atributos
Lugar del origen
Taiwan, China
PAQUETE/cubierta
TO252
d/c
21 +
Uso
PCB
Tipo de Proveedor
Fabricante Original, Agencia
Referencia cruzada
HLX2N65
Los medios disponibles
Hoja de Datos
品名
MOSFET
Corriente de colector (Ic) (máx.)
Estándar
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
Estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Estándar
Corriente de colector de corte (Max)
Estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Estándar
Poder-Max
Estándar
-Frecuencia de transición
Estándar
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C
Tipo de Montaje
Montaje superficial
Resistencia Base (R1)
Estándar
Resistencia-emisor Base (R2)
Estándar
FET tipo
Canal N
FET característica
Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
2A
Rds (Max) @ Id Vgs
3.8Ω @ 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
Estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
Estándar
Frecuencia
Estándar
Corriente nominal (en amperios)
Estándar
Ruido
Estándar
Potencia de salida
Estándar
-Tensión nominal
Estándar
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
Estándar
Vgs (Max)
Estándar
Tipo IGBT de
Estándar
Configuración
Solo
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Estándar
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Estándar
De entrada
Estándar
Termistor NTC
Estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Estándar
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Estándar
Corriente de drenaje (Id).
Estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Estándar
Resistencia-On (RDS)
Estándar
Tensión
Estándar
Tensión de salida-salida
Estándar
-Tensión Offset (Vt)
Estándar
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Estándar
Corriente de Valle Iv)
Estándar
Corriente de pico
Estándar
Aplicaciones
Estándar
Número de Parte
2N65 TO252
De embalaje
Cinta y rollo (TR)
Descripción
TO252 MOSFETs
Atributo
RoHS
La disponibilidad de
En Stock
DC
Nuevo Original
Categoría
MOSFET
Embalaje y entrega
Paquete
Vacuum packaging, foam packaging, anti-static packaging
Puerto
shenzhen
Unidades de venta:
Un solo artículo
Tamaño de paquete único:
40X40X6 cm
Peso bruto único:
0.384 kg
Plazo de entrega
| Cantidad (piezas) | 1 - 5 | > 5 |
| Hora del Est.(días) | 5 | Para negociar |
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Precio de la muestra:
EUR 0.9303/pieza
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Logotipo personalizado
Pedido mínimo: 10
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Descripciones de productos del proveedor
1 - 4 piezas
EUR 0.1489
5 - 9 piezas
EUR 0.1396
10 - 2499 piezas
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>= 2500 piezas
EUR 0.121
Variaciones
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