Inversor original de baja pérdida serie M, chip IGBT, 30A, 650V a-247, paquete g30m65df2 stg30m65df2
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Atributos clave
Especificación esencial de la industria
Número de Modelo
STG30M65DF2
Tipo
MOSFET
Marca
ST
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Otros atributos
Lugar del origen
Original manufacturer
PAQUETE/cubierta
-247-3
d/c
Último año
Uso
Poder
Tipo de Proveedor
Fabricante Original, ODM, Agencia, Minorista, Otros
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD, Otros
品名
MOSFET N-CH 30A650V a-247
Corriente de colector (Ic) (máx.)
30A
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
650V
Corriente de colector de corte (Max)
30A
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
30A
Temperatura de funcionamiento
-55TO + 175
Tipo de Montaje
A través del orificio
FET tipo
NPN
FET característica
Estable
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
30A
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
650V
Corriente nominal (en amperios)
30A
-Tensión nominal
650V
Configuración
Estable
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
650V
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
30A
Corriente de drenaje (Id).
30A
-Tensión de corte (VGS) @ Id
650V
Tensión
650V
Tensión de salida-salida
650V
-Tensión Offset (Vt)
650V
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
30A
Corriente de Valle Iv)
30A
Corriente de pico
30A
Aplicaciones
Poder
Embalaje y entrega
Paquete
Brand new original original box yuan label.
Unidades de venta:
Un solo artículo
Tamaño de paquete único:
2X1.2X0.4 cm
Peso bruto único:
0.010 kg
Plazo de entrega
| Cantidad (piezas) | 1 - 500000000 | > 500000000 |
| Hora del Est.(días) | 7 | Para negociar |
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