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      COPOER nuevo Original IPU06N03LAGXK IPU06N03LA 06N03LA Chips IC Mosfet N-CH 25V 50A 83W-251 DIP Transistor componentes electrónicos

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      Ansoyo Electronic LimitedProveedor multi-especialidad5 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      IPU06N03LA
      Tipo
      POWER MOSFET
      Marca
      COPOER
      Tipo de paquete
      Agujero de labranza

      Otros atributos

      Lugar del origen
      Guangdong, China
      PAQUETE/cubierta
      TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
      d/c
      New
      Uso
      Controlador MOSFET
      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original, ODM, Agencia, Minorista
      Referencia cruzada
      -
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos
      品名
      MOSFET N-CH 25V 50A TO-251
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      90A
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      25V
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      -
      Corriente de colector de corte (Max)
      -
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      -
      Poder-Max
      115W
      -Frecuencia de transición
      -
      Temperatura de funcionamiento
      -55°C ~ 175°C (TJ)
      Tipo de Montaje
      A través del orificio
      Resistencia Base (R1)
      -
      Resistencia-emisor Base (R2)
      -
      FET tipo
      N-Channel
      FET característica
      -
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      25V
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      50A (Tc)
      Rds (Max) @ Id Vgs
      5.9mOhm @ 30A, 10V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      2V @ 0.04mA
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      22nC @ 5V
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      2653pF @ 15V
      Frecuencia
      -
      Corriente nominal (en amperios)
      -
      Ruido
      -
      Potencia de salida
      -
      -Tensión nominal
      -
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      4.5V, 10V
      Vgs (Max)
      ±20V
      Tipo IGBT de
      -
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      -
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      -
      De entrada
      -
      Termistor NTC
      -
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      --
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Corriente de drenaje (Id).
      -
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      -
      Resistencia-On (RDS)
      -
      Tensión
      -
      Tensión de salida-salida
      -
      -Tensión Offset (Vt)
      -
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      -
      Corriente de Valle Iv)
      -
      Corriente de pico
      -
      Aplicaciones
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